Silisiumkarbid i halvlederkvalitet – driver fremtiden
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ Ω·cm, mikrorørtetthet:<1 cm⁻²
Overflateruhet: Ra Mindre enn eller lik 0,2 nm (EPI-klar) Våre 150 mm N-type wafere (4 grader utenfor aksen) muliggjør 3,3 kV SiC MOSFET-produksjon med 99,7 % kapasitet, kritisk for EV-ladeinfrastruktur.
Modifiserte applikasjoner
Dopet SiC: Aluminium (5x10¹⁸ atomer/cm³) for ohmske kontakter
SiC epitaksiale substrater: 10-100μm tykkelse med mindre enn eller lik 5% tykkelsesvariasjon
Quantum-grade SiC: NV center density >500/mm³ for kvanteregistrering
Silisiumkarbidparametere
|
Varemerke |
ZhenAn |
|
Produkt |
Silisiumkarbid |
|
Renhet |
88% 90% 98% |
|
Form |
Korn og pulver |
|
HS-kode |
284920 |
Kvalitetsledelse
Driftsklasse 100 renrom (ISO 14644-1), vi implementerer VDA 6.3 prosesskontroller og SEMI S2/S8-samsvar. I samarbeid med Fraunhofer Institute har vi utviklet proprietær defektkartleggingsteknologi som oppnår 0,02ppb metalliske forurensningsnivåer. Våre waferforsendelsessett har nitrogenforseglede kassetter med fuktighetssporing i sanntid.
Populære tags: silisiumkarbid for ildfast slipemateriale, Kina silisiumkarbid for ildfast slipemateriale produsenter, leverandører, fabrikk