Silisiumkarbid SiC

Silisiumkarbid er et halvledersammensatt materiale som består av karbon og silisiumelementer. Sammenlignet med galliumnitrid, aluminiumnitrid, galliumoksyd og andre materialer med en båndgapbredde større enn 2,2 eV, er silisiumkarbid (SiC) klassifisert som et halvledermateriale med bred båndgap, og er også kjent som tredje generasjons halvledermateriale i Kina.

Sende bookingforespørsel

Beskrivelse

fordelene med silisiumkarbid

Hvis kun silisiumkarbidbrikker vurderes, sammenlignet med tradisjonelle silisiumbaserte kraftbrikker, har silisiumkarbid usammenlignbare fordeler innen krafthalvledere: det tåler høyere strømmer og spenninger, har høyere svitsjehastigheter, mindre energitap og bedre ytelse ved høy temperatur. Derfor kan strømmodulen laget av silisiumkarbid tilsvarende redusere antall komponenter som kondensatorer, induktorer, spoler og varmeavledningskomponenter, noe som gjør hele kraftenhetsmodulen lettere, energibesparende og mer utgangseffekt, samtidig som den øker påliteligheten. Disse fordelene er åpenbare.

Fra perspektivet til terminalapplikasjoner har silisiumkarbidmaterialer blitt mye brukt i høyhastighetsjernbane, bilelektronikk, smarte nett, fotovoltaiske omformere, industriell elektromekanikk, datasentre, hvitevarer, forbrukerelektronikk, 5G-kommunikasjon, neste generasjons skjermer og andre felt, og markedspotensialet er enormt. Både i og utenfor industrien har erkjent det enorme brukspotensialet til silisiumkarbid i fremtiden, og har lagt ut den ene etter den andre, så "gullsporet" er navnet sitt verdig.

silicon carbide

Silisiumkarbid leder fremtiden

Fra et brukssynspunkt er silisiumkarbid kjent som "gyldne spor", som ikke er for mye.

For øyeblikket, for å maksimere egenskapene til silisiumkarbid og galliumnitridmaterialer, er den ideelle løsningen epitaksial vekst på silisiumkarbid enkrystallsubstrater. Det vil si at et epitaksialt silisiumkarbidlag dyrkes på toppen av silisiumkarbid for fremstilling av kraftenheter; Galliumnitrid-epitaksiallaget dyrket på silisiumkarbid kan brukes til å produsere middels og lavspente og høyfrekvente kraftenheter (mindre enn 650V), høyeffekts mikrobølge-RF-enheter og optoelektroniske enheter. Denne metoden er for tiden mye brukt i fremstillingen av silisiumkarbid og galliumnitridflis.

silicon carbide

kontakt

Soyee Cheng

ZHEN AN INTERNATIONAL CO., LTD

Mobil:+86-17737626416 (WhatsApp)

E-post: soyee@zaferroalloy.com

Faks: +86-372-5055180

Nettsted 1: https://www.zaferroalloy.cn/

Nettsted 2: https://www.zanewmetal.com/

Hovedkontor: Huafu Business Center, Wenfeng-distriktet, Anyang City, Henan-provinsen, Kina

Populære tags: silisiumkarbid sic, Kina silisiumkarbid sic produsenter, leverandører, fabrikk