Produktparametere
| Utvalg av kornstørrelser | Kjemisk sammensetning (% etter vekt) | |||
| SIC % | F.C% | Fe2O3 % | Tetthet (g/cm3) | |
| SIC 98 % | Større enn eller lik 98,5 | Mindre enn eller lik 0,2 | Mindre enn eller lik 0,4 | Større enn eller lik 3,4 |
| SIC 97 % | Større enn eller lik 97,5 | Mindre enn eller lik 0,3 | Mindre enn eller lik 0,5 | Større enn eller lik 3,3 |
| SIC90 % | Større enn eller lik 90 | Mindre enn eller lik 2,5 | Mindre enn eller lik 2,0 | Større enn eller lik 3,15 |
| SIC88 % | Større enn eller lik 88 | Mindre enn eller lik 3,0 | Mindre enn eller lik 2,0 | Større enn eller lik 3,15 |

Produktbeskrivelse
Silisiumkarbid (SiC) er et uorganisk ikke-metallisk materiale med mange utmerkede fysiske og kjemiske egenskaper. Det er mye brukt på mange felt. Det er to vanlig brukte basisvarianter av silisiumkarbid: svart silisiumkarbid og grønt silisiumkarbid, som begge tilhører -SiC. I tillegg finnes det varianter som kubisk silisiumkarbid. Silisiumkarbid har en høy hardhet, med en Mohs-hardhet på 9,5, og har utmerket slitestyrke. Silisiumkarbid har stabile kjemiske egenskaper, høy varmeledningsevne, lav termisk ekspansjonskoeffisient, og kan motstå oksidasjon ved høye temperaturer. Silisiumkarbid er et halvledermateriale med elektrisk ledningsevne. Silisiumkarbid har også egenskapene til korrosjonsbestandighet og høy styrke.

Det er mange metoder for fremstilling av silisiumkarbid. I henhold til materialtilstanden til de opprinnelige råvarene, kan de grovt deles inn i tre metoder: fastfasemetoden, væskefasemetoden og gassfasemetoden. Fastfasemetoden inkluderer karbon termisk reduksjonsmetode, mekanisk knusemetode og selvforplantende høytemperatursyntese (SHS) metode. Blant dem er den termiske reduksjonsmetoden for karbon den mest brukte metoden. Råvarene er kvartssand og petroleumskoks, som reagerer ved høy temperatur for å produsere silisiumkarbid. Væskefasemetoden inkluderer sol-gel-metoden og termisk dekomponeringsmetode. Sol-gel-metoden tilbereder silisiumkarbidmikropulver gjennom hydrolyse, polymerisering og andre reaksjoner; den termiske dekomponeringsmetoden er å fremstille silisiumkarbidpulver ved å varme opp forløperen for å gjennomgå dekomponeringsreaksjon. Gassfasemetoden inkluderer kjemisk dampavsetning (CVD), laserindusert avsetning (LICVD) og plasmaavsetning (PICVD). Gassfasemetoden kan produsere høykvalitets silisiumkarbidmikropulver, men kostnadene er høye og produksjonen er lav.

Silisiumkarbid har vist et bredt brukspotensial på mange felt på grunn av dets unike fysiske og kjemiske egenskaper. Kraftenheter laget av silisiumkarbidmaterialer har egenskapene til høy motstandsspenning, lav motstandsevne og høy frekvens, og er egnet for elektriske kjøretøy, solcelle-omformere, høyhastighets jernbanetrekkstasjoner og andre felt. Innenfor 5G-kommunikasjon, radar, satellittkommunikasjon, etc., brukes silisiumkarbidmaterialer til å produsere høyytelses RF-enheter på grunn av deres høyfrekvente egenskaper. Silisiumkarbidbaserte lysdioder har høyere lyseffektivitet og lengre levetid, og egner seg for innendørs og utendørs belysning, skjermer osv. Keramiske materialer av silisiumkarbid brukes til å produsere høytemperaturkomponenter til romfartskjøretøyer på grunn av deres høye temperaturbestandighet og høye styrke. Silisiumkarbidmaterialer brukes til å produsere substrater for solceller for å forbedre batterieffektiviteten.
Populære tags: silisiumkarbid med unik ytelse, Kina silisiumkarbid med unik ytelse produsenter, leverandører, fabrikk

