Silicon Carbie Pulver For Sliping Polering

Fremstillingen av silisiumkarbid involverer flere komplekse prosesser. En av de primære metodene er Acheson-prosessen, som ble utviklet på slutten av 1800-tallet. I denne prosessen varmes en blanding av silikasand og petroleumskoks opp i en elektrisk motstandsovn til temperaturer rundt 2000 - 2500 grader. Den høye temperaturen forårsaker en kjemisk reaksjon mellom silisiumdioksid i sanden og karbon i koksen, noe som resulterer i dannelse av silisiumkarbid. Imidlertid produserer Acheson-prosessen typisk silisiumkarbid med urenheter, noe som krever ytterligere rensetrinn.

Moderne produksjonsteknikker fokuserer på å produsere høyrent, enkeltkrystall silisiumkarbid for halvlederapplikasjoner. Kjemisk dampavsetning (CVD) er en mye brukt metode for dyrking av høykvalitets SiC enkeltkrystaller. I CVD blir en blanding av flyktig silisiumholdig og karbonholdig forløper introdusert i en høytemperaturreaktor. Disse forløperne dekomponerer og deponerer silisium- og karbonatomer på en frøkrystall, og vokser gradvis en stor, enkrystall SiC-bolle. Vekstprosessen må kontrolleres nøyaktig for å sikre krystallens kvalitet, da eventuelle defekter kan påvirke ytelsen til SiC-baserte enheter betydelig. Etter krystallvekst blir bollene skåret i skiver, polert og bearbeidet til wafere, som deretter brukes til å fremstille forskjellige SiC-baserte elektroniske og optoelektroniske enheter.

ZhenAn er en bedrift som spesialiserer seg på metallurgiske og ildfaste produkter, som integrerer produksjon, prosessering, salg og import og eksport. Vi er fokusert på å bygge et dedikert team av fagfolk over hele verden. Hos ZhenAn er vi forpliktet til å tilby komplette løsninger ved å levere "riktig kvalitet og kvantitet" som passer til kundens prosesser.

Populære tags: silisium karbie pulver for sliping polering, Kina silisium karbie pulver for sliping polering produsenter, leverandører, fabrikk